（來(lái)源：上觀新聞）

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這也是為什??么，大量想法停在????腦子里?????????。為了滿足邊緣A??I設(shè)備、高??????性能計(jì)??算（HPC）和??自動(dòng)駕??駛等未來(lái)4????應(yīng)用對(duì)功耗和數(shù)????據(jù)量的需????求，D???????RAM必須進(jìn)????行根本性的??范式轉(zhuǎn)??????變，轉(zhuǎn)向單片3D?? DRAM架構(gòu)，??正如NAN????D閃存通過(guò)從????平面到三維??????????垂直堆疊（V??????小姨子愛(ài)上我-NAND）的演????進(jìn)實(shí)現(xiàn)了容量的??突破一樣??。對(duì)于機(jī)器人來(lái)????說(shuō)，計(jì)算就是??數(shù)據(jù)????。如果制作成????本能下降70%甚????至90%，??利潤(rùn)空??????間理論上會(huì)????明顯改善????。