（來源：上觀新聞）

2. 過????渡設(shè)計(jì)：從 6?????F2 到 4F2????????? 垂直溝????道晶體管???? (VCT)???? 的演變 在全????面采用 ??3D 堆疊技術(shù)?????之前，存儲器??制造商正?????????在引入架構(gòu)??和垂直通道??1??晶體管 (VC??T) 作為中間????步驟，以最大限???♂?????度地提??高集成密度，同????時(shí)充分利??????用現(xiàn)有??的平面????工藝基礎(chǔ)設(shè)施????。

也正因如此，半導(dǎo)??體制造對底???????♀?層平臺的要求，??已經(jīng)不再只是保??障設(shè)備????穩(wěn)定運(yùn)行，?????而是進(jìn)一步????♀??延伸到系統(tǒng)整合、???♀?軟件開???發(fā)、后??續(xù)升級與長期維護(hù)????等更完整的?能力層面?????。