（來源：上觀新聞）

01 重要會議????再提“反?????????內(nèi)卷”，什么??信號？ ????今年政府工作???報告提出，??深入整???????♀?治“內(nèi)卷式”競爭???♀???。從物理特??性看，SRA??M的單元面??積是DRAM的???????5到10倍，???每比特成本????極高，注定無??法替代HBM??????漂亮鄰居作為主內(nèi)存的角色????。截圖來自英偉達官????方直播視頻 ?????據(jù)黃仁勛介紹，該????平臺主要針???♂???對企業(yè)客戶，能???♂?夠實現(xiàn)OpenC??????law的一????鍵部署，企?????????業(yè)可以在平??臺上構建自己??的個性化Age??nt產(chǎn)品??。

此舉旨在通過繞過??4F2??架構的????物理復雜?性（例如垂直??通道形成和浮空????效應控制），直???????接將從3D NA????ND閃存生產(chǎn)中積??累的高??堆疊技術應用于2??T0C或????3T0C??等3D DRAM↖??架構，從而??加快產(chǎn)??品上市速度???♀?。訪談里提到：過?去很多工具只??能做原型，現(xiàn)在可??以直接上線??。以往廣泛??使用的數(shù)據(jù)集如G????SM8K和MML??????U已經(jīng)出??現(xiàn)飽和現(xiàn)????象，就像考試??????題目被做爛??了，優(yōu)秀的A??I都能得滿分?，無法區(qū)分能????力差異??。