（來源：上觀新聞）

我可以在展臺參???觀時見到????他們，這真是令人?無比興??????????奮??。然而，在需求??爆炸式增??????♀?長的背后??，是傳統(tǒng)二維平??面動態(tài)隨機存取存???♂?儲器（DRAM???）面臨???????的關鍵物理????和工程限制??。特別是，根據??IEEE TED????的一項比??較研究，即使在基?于VBL的??3D DRA??????M中，要在??保持足????夠信號裕度的同時???實現超過1??2nm級2D ??DRAM的密度??，也可能需要大約??50個堆疊；????這表明，雖然???? 3D???? 堆疊保持電??????容器代表了????最連續(xù)的發(fā)展路徑??，但這??????絕不是一個工藝????難度低的解決??方案????。

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