（來(lái)源：上觀新聞）

2.1 VC??????T架構(gòu)的????結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì)???? 4F2單元結(jié)????構(gòu)是一種創(chuàng)新設(shè)??計(jì)，通過(guò)將??位線和字線?的間距分別???優(yōu)化至????2F，與現(xiàn)有??的6F??????????2結(jié)構(gòu)相比??，芯片面積可減少??30%??以上????。

好嗎？現(xiàn)在????想想剛才發(fā)生了什????么??。Vera R??ubin架構(gòu)????推理能???????力和能效繼??????續(xù)大幅提升，被????明確定位為“為A?????genti????c A???I的每個(gè)階???段服務(wù)”的新??一代基????礎(chǔ)設(shè)施???。

我們想確保不僅????我們擅長(zhǎng)訓(xùn)練????和訓(xùn)練??后處理，而且我??????們?cè)贏I????的每一個(gè)??????階段都非常出色??，這樣所做??的投資，對(duì)我們???????基礎(chǔ)設(shè)施的投資????，可以盡可能長(zhǎng)時(shí)??????間地?cái)U(kuò)????展使用，???♀???英偉達(dá)基礎(chǔ)設(shè)施????????的使用壽命會(huì)??????很長(zhǎng)，因此成本會(huì)??非常低??。